技术编号:18480150
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体器件结构。背景技术肖特基势垒二极管是利用金属接触半导体层制成的一种半导体器件。其和传统意义上的半导体二极管相比,具有反向恢复时间极短的特点,因此,肖特基势垒二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路。氮化镓材料是第三代宽禁带半导体材料,由于其具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀和抗辐射等特点,其成为制作短波光电子器件和高压高频率大功率器件的最佳材料。综上,使用氮化镓材料制备的肖特基势垒二极管结合了上述肖特基势垒二极管和...
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