技术编号:1849672
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及石墨烯的低成本无损转移技术,具体为ー种利用电解过程中产生的气泡的推动作用及气体插层作用将石墨烯从初始基体向任意目标基体上低成本无损转移的新方法,适用于无损转移导体或半导体基体表面的单层、少层石墨烯。背景技术石墨烯是由单层碳原子紧密堆积成的ニ维蜂窝状晶体结构,是构建其他维数炭材料(零维富勒烯、ー维纳米碳管、三维石墨)的基本结构单元。石墨烯独特的晶体结构使它具有优异的电学、热学和力学性能,如室温下其电子迁移率高达200,OOOcmVV *s,热导率高...
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