技术编号:1853807
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种适用于在EUV光刻技术中使用的掺杂二氧化钛的石英玻璃,及其制备方法。背景技术在用于制造半导体器件的先进光刻处理中,较短波长的光源用于曝光。随后采用超紫外线(EUV)的光刻被认为是有前途的。由于EUV光刻技术采用反射光学系统,所以即使由引入其中的热所导致的光刻光学系统中每一个部件(例如基材)的轻微热膨胀,都将对光刻精度产生不利影响。因此,例如反射镜、掩模、工作台等部件都必须由低膨胀材料制成。已知掺杂二氧化钛的石英玻璃是典型的低膨胀材料。添加一定...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。