技术编号:18641630
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子技术领域,尤其涉及一种高电源纹波抑制比的耗尽型参考电压源。背景技术现有技术的耗尽型参考电压源结构主要采用一个耗尽型NMOS管M11和一个增强型NMOS管M12串联组成,由于采用标准的CMOS工艺制备,耗尽型NMOS管M11的衬底只能接地,所以会有体效应。工艺角发生变化时,器件的仿真参数会有所区别。当器件体效应很显著时会导致耗尽型NMOS管M11的阈值电压发生改变,在供电电压不改变的情况下,对耗尽型NMOS管M11的导通效果会有影响,使源级输出电压改变。在温度范围不变的情况下影响到输...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。