技术编号:18699465
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术随着半导体工艺技术的不断发展,例如高K栅介质层的引入、应力工程技术、口袋离子注入以及材料和器件结构的不断优化,半导体器件的尺寸不断缩小。但是当器件的特征尺寸进一步下降时,由于短沟道效应越发显著、制程变异、可靠性下降导致平面晶体管面临巨大的挑战。与平面晶体管相比,鳍式场效应晶体管具有全耗尽的鳍部、更低的掺杂离子浓度波动、更高的载流子迁移率提高、更低的寄生结电容以及更高的面积使用效率,从而受到广泛的关注。在集成电路制造过程中,如...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。