技术编号:18734660
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及激光芯片技术领域,尤其涉及可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法。背景技术VCSEL是vertical-cavity surface-emitting laser的缩写,是指垂直腔面发射激光器,其谐振腔是利用在有源区的上下两边形成两个具有高反射率的分布布拉格反射镜(Dis tribute Bragg Reflector,简称DBR)构成,激光沿着材料外延生长方向垂直发射。与边发射激光器(Edge Emitting Laser,简称EEL)相比,VCSEL具有圆形光斑,易与光纤进行...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。