技术编号:18820113
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种剥离基板制造方法,更具体地说,涉及一种对碳化硅、蓝宝石、氮化镓等进行激光加工的剥离基板制造方法。背景技术以往,在制造以硅(Si)晶片为代表的半导体晶片的情况下,将在石英坩埚内熔融的硅熔液凝固得到的圆柱形晶锭切断成适当长度的块,对其周缘部进行磨削以得到目标直径,然后,使用钢丝锯将块化后的晶锭切割成晶片形,从而制造半导体晶片。需要说明的是,在该说明书中,除了另有说明的情况以外,将晶片适当地称为基板。如此操作制造的半导体晶片在前工序中依次实施电路图案的形成等各种处理,并供于后工序,在该后...
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