技术编号:18820118
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种使用熔融碱来蚀刻基板的蚀刻方法。背景技术在半导体的制造等中,广泛进行将SiC(碳化硅)等基板蚀刻来进行缺陷检测。需要说明的是,SiC基板由于其优异的特性因此作为下一代的功率半导体基板而备受期待。从制造高性能且成品率高的半导体装置方面出发,在基板上形成损伤少的良好表面是很重要的。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2014-22677号公报发明内容发明要解决的课题但是,为了在基板上形成损伤少的良好表面,存在所需的处理工序数多、且花费大量时间和成本这样的课题。另外,由于为了得到无缺...
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