技术编号:1883248
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,包括A、直流电源溅射Bi平面靶,在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层;B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在Bi2O3层上磁控溅射TiOx层;C、直流电源溅射铬平面靶,在TiOx层上磁控溅射CrNx层;D、直流电源溅射铜平面靶,在CrNx层上磁控溅射Cu层;E、直流电源溅射NiCr合金平面靶,在Cu层上磁控溅射NiCr层;F、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶,在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。