一种耐腐蚀薄膜的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种耐腐蚀薄膜的制备方法，包括：A、直流电源溅射Bi平面靶，在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层；B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在Bi2O3层上磁控溅射TiOx层；C、直流电源溅射铬平面靶，在TiOx层上磁控溅射CrNx层；D、直流电源溅射铜平面靶，在CrNx层上磁控溅射Cu层；E、直流电源溅射NiCr合金平面靶，在Cu层上磁控溅射NiCr层；F、交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的耐腐蚀薄膜的制备方法。
【专利说明】一种耐腐蚀薄膜的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种耐腐蚀薄膜的制备方法。【背景技术】
[0002]低辐射玻璃是指对红外辐射具有高反射率，对可见光具有良好透射率的平板镀膜玻璃。低辐射玻璃具有良好的透光、保温、隔热性能，广泛应用于窗户、炉门、冷藏柜门等地方。
[0003]目前市场上较常见的低辐射玻璃有单银低辐射玻璃、双银低辐射玻璃、热控低辐射玻璃及钛基低辐射玻璃等。现有的这四种低辐射玻璃在380~780纳米的可见光波长范围内透射率不够高，仅为50%左右；在红外辐射波长范围内透射率较高，尤其是在900~1100纳米的波长范围内透射率为10~20%之间。另外，这些玻璃的耐磨性通常不够优良。
[0004]而且现有的透明基材的耐腐性和耐热性相对较差，故此，现有的透明基材有待于进步完善。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种工艺简单，操作方便，生产成本相对较低的耐腐蚀薄膜的制备方法。
[0006]为了达到上述目的，本发明采用以下方案:
[0007]一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤:
[0008]A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层；
[0009]B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层；
[0010]C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层；
[0011]D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层；
[0012]E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Cu层上磁控溅射NiCr层；
[0013]F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。
[0014]如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10~15nm，氧气与氩气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率为15~20KW。
[0015]如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述TiOx层的厚度为10~15nm，所述交流电源的溅射功率50~75KW。
[0016]如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述CrNx层的厚度为3~5nm，所述氮气与氩气的体积比为1:2，所述的直流电源的溅射功率3~6KW。
[0017]如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Cu层的厚度为10~20nm，所述直流电源的溅射功率3~6KW。
[0018]如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为3~5nm，所述NiCr合金中N1:Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率3~5KW。
[0019]如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于F中所述ZnSnO3层的厚度为20~30nm,所述ZnSn合金旋转祀中Zn:Sn的摩尔比48:52,所述気气与氧气的体积比为1:2，所述交流电源的溅射功率为50~75KW。
[0020]如上所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于透明耐热基板为透明玻璃。
[0021]综上所述，本发明的有益效果:
[0022]本发明工艺方法简单，操作方便，生产成本相对较低。产品抗腐蚀性强、生产过程中对基板洁净程度要求不高，本发明产品透光率T ^ 65%，辐射率E < 0.15。
【具体实施方式】
[0023]下面结合【具体实施方式】对本发明做进一步描述: [0024]实施例1
[0025]本发明一种耐腐蚀薄膜的制备方法，包括以下步骤:
[0026]A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层；其中所述Bi2O3层的厚度为10nm，氧气与氩气的体积比为1:2，即氧气:気气=500sCCm dOOOsccm，所述直流电源的溅射功率为15KW，其中所述透明耐热基板为透明玻璃；
[0027]B、采用気气作为反应气体,気气的体积流量为800sccm,交流电源派射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层；其中所述TiOx层的厚度为10nm，所述交流电源的溅射功率50KW ；
[0028]C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层；其中所述CrNx层的厚度为3nm，所述氮气与氩气的体积比为1:2，即氮气与氩气=500sCCm:1000sCCm，所述的直流电源的溅射功率3KW ；
[0029]D、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为1000sccm直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层；其中所述Cu层的厚度为10nm，所述直流电源的溅射功率3KW ；
[0030]E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射NiCr合金平面祀，在步骤D中的Cu层上磁控派射NiCr层；所述NiCr层的厚度为3nm,所述NiCr合金中N1:Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率3KW ；
[0031]F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控派射ZnSnO3层；所述ZnSnO3层的厚度为20nm,所述ZnSn合金旋转靶中Zn: Sn的摩尔比48:52，所述氩气与氧气的体积比为1:2，氩气与氧气=500sCCm:lOOOsccm,所述交流电源的溅射功率为50KW。
[0032]实施例2
[0033]本发明一种耐腐蚀薄膜的制备方法，包括以下步骤:[0034]A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层；其中所述Bi2O3层的厚度为12nm，氧气与氩气的体积比为1:2，即氧气:氩气=500SCCm:1000SCCm，，所述直流电源的溅射功率为18KW，其中所述透明耐热基板为透明玻璃；
[0035]B、采用気气作为反应气体,気气的体积流量为800sccm,交流电源派射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层；其中所述TiOx层的厚度为13nm，所述交流电源的溅射功率60KW ；
[0036]C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层；其中所述CrNx层的厚度为4nm，所述氮气与氩气的体积比为1:2，即氮气与氩气=500sCCm:1000sCCm，所述的直流电源的溅射功率5KW ；
[0037]D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层；其中所述Cu层的厚度为15nm，所述直流电源的溅射功率4KW ；[0038]E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射NiCr合金平面祀，在步骤D中的Cu层上磁控派射NiCr层；所述NiCr层的厚度为4nm,所述NiCr合金中N1:Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率4KW ；
[0039]F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为25nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn: Sn的摩尔比48:52，所述氩气与氧气的体积比为1:2，氩气与氧气=500sCCm:lOOOsccm，所述交流电源的溅射功率为63KW。
[0040]实施例3
[0041]本发明一种耐腐蚀薄膜的制备方法，包括以下步骤:
[0042]A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层；其中所述Bi2O3层的厚度为15nm，氧气与氩气的体积比为1:2，即氧气:氩气=500sCCm dOOOsccm，，所述直流电源的溅射功率为20KW，其中所述透明耐热基板为透明玻璃；
[0043]B、采用気气作为反应气体,気气的体积流量为800sccm,交流电源派射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层；其中所述TiOx层的厚度为15nm，所述交流电源的溅射功率75KW ；
[0044]C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层；其中所述CrNx层的厚度为5nm，所述氮气与氩气的体积比为1:2，即氮气与氩气=500sCCm:1000sCCm，所述的直流电源的溅射功率6KW ；
[0045]D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层；其中所述Cu层的厚度为20nm，所述直流电源的溅射功率6KW ；
[0046]E、采用氩气作为反应气体，氩气的体积流量为lOOOsccm，直流电源溅射NiCr合金平面祀，在步骤D中的Cu层上磁控派射NiCr层；所述NiCr层的厚度为5nm,所述NiCr合金中N1:Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率5KW ；
[0047]F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控派射ZnSnO3层。所述ZnSnO3层的厚度为30nm,所述ZnSn合金旋转靶中Zn: Sn的摩尔比48:52，所述氩气与氧气的体积比为1:2，氩气与氧气=500sCCm:lOOOsccm，所述交流电源的溅射功率为75KW。 [0048] 以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤: A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Bi平面靶，在透明耐热基板上磁控溅射Bi2O3层； B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Bi2O3层上磁控溅射TiOx层； C、采用氮气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射铬平面靶，在步骤B中的TiOx层上磁控溅射CrNx层； D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射铜平面靶，在步骤C中的CrNx层上磁控溅射Cu层； E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Cu层上磁控溅射NiCr层； F、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射ZnSn合金旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射ZnSnO3层。
2.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Bi2O3层的厚度为10~15nm，氧气与氩气的体积比为1:2，所述直流电源的溅射功率为15~20KW。
3.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述TiOx层的厚度为10~15nm，所述 交流电源的溅射功率50~75KW。
4.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述CrNx层的厚度为3~5nm，所述氮气与氩气的体积比为1:2，所述的直流电源的溅射功率3~6KW。
5.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Cu层的厚度为10~20nm，所述直流电源的溅射功率3~6KW。
6.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为3~5nm，所述NiCr合金中N1:Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率3 ~5KW。
7.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于F中所述ZnSnO3层的厚度为20~30nm，所述ZnSn合金旋转靶中Zn: Sn的摩尔比48:52，所述氩气与氧气的体积比为1:2，所述交流电源的溅射功率为50~75KW。
8.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀薄膜的制备方法，其特征在于透明耐热基板为透明玻璃。
【文档编号】C03C17/36GK103614696SQ201310552861
【公开日】2014年3月5日 申请日期:2013年11月7日 优先权日:2013年11月7日
【发明者】陈路玉 申请人:中山市创科科研技术服务有限公司