技术编号：18866783
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米金属氧化物半导体材料领域，特别是一种中空结构的In2O3气敏材料及制备方法和应用。背景技术随着社会科技以及工业的快速发展，有毒有害气体的排放日益增加，严重危害着环境以及人类的健康，甲醛气体是一种常见的挥发性有毒气体普遍存在于人类的生活环境中，例如新装修的房屋，家居产品，以及烟雾释放等。世界卫生组织规定人类居住环境中的甲醛浓度为0.1mg/m3 (~80ppb)。当人类短时间位于高浓度的甲醛环境中会引起红眼；咽喉痛；呼吸困难；头痛等，若长期位于高浓度甲醛环境中，将会引起肺水肿甚至引起...
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