技术编号:18873625
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于晶体材料制备技术领域,特别涉及一种新型晶体生长装置及其生长方法,特别涉及一种导模法用新型晶体生长装置及其生长方法。背景技术伴随人工晶体材料及器件的发展,大尺寸、高质量的人工晶体生长工艺得到越来越多的重视。其中EFG工艺由于具有晶体生长速度快,生长过程中晶体通过模具一次成形,后期加工成本低等诸多优点得到了广泛应用。但是如何减少EFG晶体中的微气泡,或者在有元素掺杂过程中,如何使掺杂元素均匀分布而得到高质量的晶体,成为了限制EFG方法的瓶颈。目前原料熔体由于粘度系数很大,且距离沸点很远导致...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。