一种新型晶体生长装置及其生长方法与流程

本发明属于晶体材料制备技术领域，特别涉及一种新型晶体生长装置及其生长方法，特别涉及一种导模法用新型晶体生长装置及其生长方法。

背景技术：

伴随人工晶体材料及器件的发展，大尺寸、高质量的人工晶体生长工艺得到越来越多的重视。其中efg工艺由于具有晶体生长速度快，生长过程中晶体通过模具一次成形，后期加工成本低等诸多优点得到了广泛应用。但是如何减少efg晶体中的微气泡，或者在有元素掺杂过程中，如何使掺杂元素均匀分布而得到高质量的晶体，成为了限制efg方法的瓶颈。

目前原料熔体由于粘度系数很大，且距离沸点很远导致流动速度慢，致使熔体中的气体及杂质不能快速的逸出，导致在晶体生长过程中，晶体里有大量的微气泡和杂质。另外在传统晶体生长过程中(如cz、ky等)，籽晶由于与原料融化温度一致，不可能深入熔体中，且籽晶尺寸过小，旋转速度慢，不能引起熔体强对流，不能有效帮助熔体排气泡。如果需要对基质进行元素掺杂，且掺杂元素多为密度较大的高温金属离子，则更需要加强对流帮助元素离子均匀扩散到熔体之中。同时由于坩埚内部原料越来越少，熔体深度变浅导致坩埚内部的轴向及径向温度梯度变大，对晶体质量产生了影响。

技术实现要素：

为了克服上述现有技术存在的不足，导模法由于拥有独立的晶体成形模具，可作为独立的原料搅拌装置，本发明将其悬挂在坩埚上方，可通过坩埚上升调整模具与坩埚的相对位置；通过坩埚旋转引入坩埚与模具的相对运动状态。

一种新型晶体生长装置，包括模具、坩埚、托盘、支柱、电机；所述模具悬挂在坩埚上方，且模具外径小于坩埚内径；所述坩埚底部通过托盘与支柱固定连接，支柱与电机的传动轴固定连接，其中电机包括升降电机、旋转电机，固定安装在设备炉腔外侧。

同时，还提供了一种采用上述装置的生长方法，具体步骤为：

(一)助排气泡

冷态下坩埚内装满固态原料，模具底沿在坩埚上沿的上面；封闭设备炉门，抽真空，充保护气；升温加热至固态原料完全熔化成液态；将坩埚上升，至模具插入熔体0.25—0.45倍深度处，坩埚开始顺时针旋转，再逆时针旋转；顺逆时针旋转后，静止5—60min，排气泡结束；坩埚不断上升，且始终保持原料熔体相对模具的高度比；

(二)引晶过程

将籽晶与模具接触，切入模具刃口，通过称重传感器判读籽晶的温度及状态，进行高温引晶；

(三)放肩过程

引晶过程完成后保持当前状态10—30min，，然后缓慢进行放肩过程；

(四)等径过程

当放肩过程完成0.55—0.65倍进程时，坩埚进行旋转，转速为1—10round/min，进入等径过程；此旋转过程一直持续到坩埚内原料在8—11mm时，坩埚旋转及上升功能停止；

(五)收尾过程

晶体等径过程生长结束后，由于坩埚旋转及上升功能停止，温度上升，晶体尾部自动与熔体脱开后，在模具上方悬停一段时间，即可启动降温程序，最终获得晶体。

作为改进，步骤(一)中，坩埚先顺时针旋转时，转速为1—10round/min，旋转时间为5—120min，再逆时针旋转时，旋转时间为5—120min，转速为1—10round/min。

作为改进，步骤(四)中，坩埚旋转时为根据长晶需要，始终进行一边晶体生长一边坩埚慢速旋转的长晶过程；或者坩埚中速旋转几分钟，坩埚停转，晶体生长一段时间，然后晶体暂停生长，坩埚再中速旋转几分钟，然后晶体再恢复生长，交替穿插式的长晶过程。

有益效果：本发明中提供了一种晶体生长装置及生长方法，利用坩埚相对模具的动作，引起熔体的对流，克服原料熔体中气泡不易逸出的问题，并通过旋转加强熔体对流使得掺杂元素分布更加均匀，对坩埚内部的轴向及径向温度梯度进行了调和，可使得晶体外形更加均匀。

本发明有效的解决了熔体中气泡不易逸出及掺杂元素分布不均匀的问题，缓解了坩埚内部温度梯度过大所导致的影响，使得长晶工艺更加灵活丰富以应对不同种类的晶体材料需要。

附图说明

图1为本发明模具内进入原料熔体前升降状态的结构示意图。

图2为本发明模具内进入原料熔体后旋转状态的结构示意图。

具体实施方式

下面对本发明作出进一步说明。

一种新型晶体生长装置，包括模具1、坩埚3、托盘4、支柱5、电机；所述模具1悬挂在坩埚3上方，且模具1外径小于坩埚3内径；所述坩埚3底部通过托盘4与支柱5固定连接，支柱5与电机的传动轴固定连接，其中电机包括升降电机、旋转电机，固定安装在设备炉腔外侧。其中坩埚3在电机的带动下能够进行向上、向下的运动及顺时针、逆时针的旋转运动。

实施例1

采用的助排气泡步骤：(1)冷态下坩埚装满固态原料，此时模具底沿在坩埚上沿的上面；(2)封闭炉门，抽真空，充保护气，也可根据原料及热场的特性保持在真空状态；(3)升温加热至原料完全熔化成液态；(4)坩埚上升至模具插入熔体五分之二处，坩埚开始顺时针旋转，转速为1—10round/min，旋转时间为5—120min。此后再逆时针旋转5—120min，转速为1—10round/min。(5)顺逆时针旋转后，静止5—60min，即可进行晶体生长，此为原料熔体排气泡过程。

实施例2

采用的具体长晶助掺杂元素均匀分布步骤为：(1)在原料助排气泡步骤结束后，坩埚始终可根据晶体生长对原料的用量，进行坩埚上升，保证原料熔体液面相对模具的高度。

(2)引晶过程：籽晶与模具接触，切入模具刃口，可通过称重传感器判读籽晶的温度及状态，为保证引晶质量，减少位错密度，尽可能高温引晶。

(3)放肩过程：引晶动作完成后保持当前状态10—30min，有助于籽晶的应力释放并有助于籽晶与熔体的充分熔接，然后缓慢放肩。

(4)放肩及等径过程中的旋转功能：当放肩完成三分之二时，坩埚可进行旋转，转速为1—10round/min。可根据长晶需要，始终进行一边晶体生长一边坩埚慢速旋转。也可以坩埚中速旋转几分钟，坩埚停转，晶体生长一段时间，然后晶体暂停生长，坩埚再中速旋转几分钟，然后晶体再恢复生长，这种交替穿插式的长晶过程。这一步骤的坩埚旋转动作就是引入熔体强制对流，帮助掺杂元素在熔体中均匀扩散。同时旋转对坩埚内部的轴向及径向温度梯度进行了调和。此旋转过程一直持续到坩埚原料剩余10毫米高度时，坩埚旋转及上升功能停止。

(5)收尾过程：晶体等径过程生长结束后，由于坩埚旋转及上升功能停止，温度上升，晶体尾部自动与熔体脱开后，在模具上方悬停一段时间，即可启动降温程序，进而获得晶体。

与现有技术相比，本发明有效的解决了熔体中气泡不易逸出及掺杂元素分布不均匀的问题，缓解了坩埚内部温度梯度过大所导致的影响。使得长晶工艺更加灵活丰富以应对不同种类的晶体材料需要。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。