技术特征：
技术总结
本发明提供了一种晶体生长装置及生长方法，利用坩埚相对模具的动作，引起熔体的对流，克服原料熔体中气泡不易逸出的问题，并通过旋转加强熔体对流使得掺杂元素分布更加均匀，对坩埚内部的轴向及径向温度梯度进行了调和，可使得晶体外形更加均匀。本发明有效的解决了熔体中气泡不易逸出及掺杂元素分布不均匀的问题，缓解了坩埚内部温度梯度过大所导致的影响，使得长晶工艺更加灵活丰富以应对不同种类的晶体材料需要。
技术研发人员：罗平;徐军;王东海;李东振;吴锋;王庆国;唐慧丽;徐晓东
受保护的技术使用者：南京同溧晶体材料研究院有限公司
技术研发日：2019.06.27
技术公布日：2019.10.11