技术编号:18875962
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容系关于一种存储单元及其制造方法、以及包含此存储单元的存储装置。背景技术闪存(flash memory)系一种非易失性(non-volatile)存储器。当闪存缺乏外部电源供应时,亦能保存存储器中的信息内容。闪存是由许多存储单元组成的。习知的闪存系利用浮动栅极晶体管(floating gate transistor)作为储存单元,并根据储存于浮动栅极上的电荷量来决定其储存状态。然而,习知的闪存具有操作电压大、结构复杂而制造不易、编程(program)与读取(read)速度慢、以及循环寿命...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。