技术编号：18890993
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体器件技术，尤其涉及一种NOR闪存器件及其制备方法。背景技术对于90/65nm节点及以下的传统工艺制作的浮栅(Floating Gate，FG)NOR闪存器件，为了增加高耐压电容单位面积的电容，提高芯片面积的利用率，降低成本，会引入一种叠层的氧化物层-氮化物层-氧化物层(Oxide-Nitride-Oxide，ONO)电容应用于高压电荷泵中。图1是现有技术中的一种ONO电容的俯视结构示意图。图2是图1中沿A1-A2的剖面结构示意图。参见图1和图2，该ONO电容自下而上由硅衬底...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。