技术编号:18902458
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及沟槽MOS型肖特基二极管。背景技术以往,已知在半导体层中使用了Ga2O3的肖特基势垒二极管(肖特基二极管)(例如,专利文献1)。在专利文献1中,例如记载了在n-Ga2O3层的电子载流子浓度和厚度分别为9.95×1016cm-3、3.3μm时,肖特基二极管的耐压是1000V。另外,已知在半导体层中使用了Si的沟槽MOS型肖特基二极管和在半导体层中使用了SiC的沟槽MOS型肖特基二极管(例如,非专利文献1、2)。在非专利文献1中,记载了在n-Si层的掺杂浓度和厚度分别为1×1016cm-3...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。