技术编号:18904844
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文所述实施方式大体上涉及半导体器件制造设备和工艺的领域,并且更特定地涉及使用物理气相沉积(PVD)和高压退火工艺形成金属硅化物互连的方法。背景技术随着下一代器件的电路密度增加并且晶体管尺寸继续缩小,用于导线互连(wire interconnect)的材料的特性开始在主要性能指标(包含功耗、电阻-电容(RC)延迟和可靠性)方面主导器件性能。在过去的二十年中,铜已用于先进的USLI和VSLI技术中的导线互连,因为铜大体表现出相对低的电阻率,并且因此具有高导电性。然而,当器件的互连布线的宽度缩小到互...
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