技术编号：18925794
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及储器晶圆(英文为DIE)烘烤设备技术领域，尤其涉及用于快速存储器质量检测的开放式存储器晶圆烘烤设备。背景技术目前的存储器的内部会采用半导体存储器，半导体存储器简称闪存，闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用此种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力；闪存与场效应管均为电压控制型器件，NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数...
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