技术编号:18933371
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种外延晶片以及制造该外延晶片的方法。背景技术日本专利公布No.2014-17439(专利文献1)公开了一种用于制造外延晶片的半导体制造装置。引用列表专利文献PTD 1:日本专利公布No.2014-17439发明内容根据本公开的外延晶片包括具有第一主表面的碳化硅膜。在碳化硅膜的第一主表面中形成凹槽部。凹槽部沿第一主表面在一个方向上延伸。而且,凹槽部在该一个方向上的宽度是凹槽部在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且,凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm。根据本公开的制造...
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