技术编号:18943198
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳化硅半导体装置、电力变换装置、碳化硅半导体装置的制造方法以及电力变换装置的制造方法,特别涉及具有沟槽栅的碳化硅半导体装置、具有碳化硅半导体装置的电力变换装置、具有沟槽栅的碳化硅半导体装置的制造方法以及具有碳化硅半导体装置的电力变换装置的制造方法。背景技术在功率电子设备中,作为控制向马达等负载的电力供给的开关元件,广泛使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)以及MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。