技术编号:1911496
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,先将K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、Bi2O3、ZnO、ZrO2按(1-x)(K0.5Na0.5)NbO3–xBi(Zn0.5Zr0.5)O3的化学计量比配料,其中,x为0.01~0.1,经球磨、煅烧后制得粉料;再经球磨、烘干、造粒后压制成生坯;生坯于1080~1200℃烧结,烧渗制备电极,制得超宽温低损耗陶瓷电容器介质材料。本发明工作温度为100℃~450℃,电容量变化率<±15%,介电常数>2000,烧结温度低,且成本较低,制备工艺...
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