技术编号:1911914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种低损耗温度稳定型高频陶瓷电容器介质,化学式为(Bi1.8Zn0.2)(Zn0.6Nb1.4-2xSnxWx)O7,x=0.02~0.05。先将原料Bi2O3、ZnO、Nb2O5、SnO2、WO3按上述化学式称量配料,经球磨、烘干、过筛、煅烧后合成主晶相;再外加质量百分比为0.75%的聚乙烯醇,球磨、烘干、过筛、压制成坯体;坯体于925~975℃烧结,制成低损耗温度稳定型高频介质陶瓷材料。本发明烧结温度为925~975℃,介电常数εr在93~...
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