技术编号：19146964
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体氧化物纳米材料的制备领域，特别涉及一种含sn3+的sno2纳米材料及其合成方法，以及这种纳米材料的用途。背景技术二氧化锡半导体氧化物材料有较高的载流子迁移率、合适的价带和导带，因此在半导体领域用途广泛。运用各种物理和化学手段对二氧化锡进行改性、修饰或掺杂、材料性能开发和改进也因此得到了广泛关注。有文献报道，通过基于plasma方法合成的还原型sno2纳米线材料在co2还原催化反应中表现出比较好的效果(joshuam.spurgeonet.al.,reducedsno2porous...
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