技术编号:1915584
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于。背景技术 众所周知,VO2在约68℃存在一个低温单斜(半导体相)到高温四方(金属相)的转变。相变期间,一些物理性质如导电率,磁矩和红外透射率发生突跃;特别是对VO2进行掺杂时,相变温度(TC)可以调节改变,其变化量与掺入杂质的种类和数量有关。例如掺Cr增加TC,V0.976Cr0.024O2的TC为72℃。而每掺入1%Mo原子,TC减少11℃,每掺入1%W原子,TC减少26℃。VO2的这些特殊性质,可以被用于无触点热电开关,热动继电器,温度探...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。