技术编号：19287981
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域：本发明属于纺织材料技术领域，具体涉及ag沉积pan@sio2纳米纤维制备核壳结构的导电复合膜的制备方法。背景技术：电磁辐射污染不仅经常会对附近的电子设备造成干扰而且严重威胁人们的健康，因此迫切需要开发高性能的电磁屏蔽材料。传统的金属屏蔽材料密度大、易腐蚀而且屏蔽电磁波主要以反射为主，固有的金属属性限制其在恶劣环境下应用。最近，报道了许多碳基材料如石墨烯，碳纳米管等，由于它们低密度低和耐腐蚀而被广泛应用，但是碳基材料与聚合物溶解或熔融混合来制备导电聚合物时，为构建导电网络，需要高浓度的纳...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。