技术编号:1929976
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅片的切割方法,尤其是一种。 背景技术目前在太阳能级硅片切割中,采用的工艺方法一般是利用钢线的运动带动具有切削能力的SiC砂子对硅棒进行磨削,硅棒最终被加工成硅片。然而传统的切割工艺中,具有切削能力的SiC颗粒是通过具有粘附能力的PEG粘附在切割钢线表面,由于SiC颗粒在外力情况下可以自由移动,导致在硅片的不同位置SiC 颗粒的不分布不均,这样对于硅片的表面精度控制比较差,特别是对于160um厚度以下硅片的精度控制无法达到太阳能级硅片标准要求...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。