专利名称：超薄硅片的切割方法
技术领域：
本发明涉及一种硅片的切割方法，尤其是一种超薄硅片的切割方法。
背景技术：
目前在太阳能级硅片切割中，采用的工艺方法一般是利用钢线的运动带动具有切削能力的SiC砂子对硅棒进行磨削，硅棒最终被加工成硅片。然而传统的切割工艺中，具有切削能力的SiC颗粒是通过具有粘附能力的PEG粘附在切割钢线表面，由于SiC颗粒在外力情况下可以自由移动，导致在硅片的不同位置SiC 颗粒的不分布不均，这样对于硅片的表面精度控制比较差，特别是对于160um厚度以下硅片的精度控制无法达到太阳能级硅片标准要求，切割成功率非常低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提出一种利用多线切割设备切割160 μ m以下厚度太阳能级硅片的方法。本发明所采用的技术方案为一种超薄硅片的切割方法，包括以下步骤1)切片机的导轮槽锯为0. 0.30mm，硅片目标厚度120 160 μ m，切割线采用固定磨料切割线；2)将处理好的晶体硅棒装入切片机，固定好晶棒位置，预机循环；3)热机结束后，进行硅片切割，其中台速为0. 3 0. 9mm/min，线速度为0 15m/ s，采用双向切割工艺；4)切片过程中使用水性切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；5)切割结束后，停机、下棒，硅片进行清洗和分选。具体的说，所述的步骤1)中固定磨料切割线上的固定磨料为高硬度的BCX、BNX、金刚石或硬度大于硅的材料。固定磨料切割线是在普通钢线上将高硬度的磨料颗粒电镀或通过树脂涂层固定在基体上，直径范围在0. Imm 0. 3mm。固定磨料切割线在水性切割液体系下完成超薄硅片切割。需要说明的是，在整个切割过程中，切削液一直循环流动，以起到润滑和散热作用。本发明的有益效果是通过使用固定磨料钢线可以精确控制硅片的精度，同时调整合适的台线速比，可以规模化生产120μπι 160μπι厚度太阳能级硅片，提高硅片的出片率10%以上，大大降低光伏发电的硅成本。
具体实施例方式现在结合实施例对本发明作进一步详细的说明。一种超薄硅片的切割方法，包括以下步骤1)切片机的导轮槽锯为0J9mm，硅片目标厚度140 μ m，切割线采用固定磨料切割线.
一入 ，2)将处理好的晶体硅棒装入切片机，固定好晶棒位置，预机循环；3)热机结束后，进行硅片切割，其中台速为0.73mm/min，线速度为10m/S，采用双向切割工艺；4)切片过程中使用水性切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；5)切割结束后，停机、下棒，硅片进行清洗和分选。
硅片合格率达到92 %。 以上说明书中描述的只是本发明的具体实施方式
，各种举例说明不对本发明的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式
做修改或变形，而不背离发明的实质和范围。
权利要求
1.一种超薄硅片的切割方法，其特征在于包括以下步骤1)切片机的导轮槽锯为0.28 0. 30mm,硅片目标厚度120 160 μ m,切割线采用固定磨料切割线；2)将处理好的晶体硅棒装入切片机，固定好晶棒位置，预机循环；3)热机结束后，进行硅片切割，其中台速为0.3 0. 9mm/min，线速度为0 15m/s，采用双向切割工艺；4)切片过程中使用水性切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；5)切割结束后，停机、下棒，硅片进行清洗和分选。
2.如权利要求1所述的超薄硅片的切割方法，其特征在于所述的步骤1)中固定磨料切割线上的固定磨料为高硬度的BCX、BNx、金刚石或硬度大于硅的材料。
3.如权利要求1或2所述的超薄硅片的切割方法，其特征在于所述的步骤1)中固定磨料切割线是在普通钢线上将高硬度的磨料颗粒电镀或通过树脂涂层固定在基体上，直径范围在0. Imm 0. 3mm。
4.如权利要求1或2所述的超薄硅片的切割方法，其特征在于所述的步骤1)中的固定磨料切割线在水性切割液体系下完成超薄硅片切割。
全文摘要
本发明涉及一种超薄硅片的切割方法，包括以下步骤1)切片机的导轮槽锯为0.28～0.30mm，硅片目标厚度120～160μm，切割线采用固定磨料切割线；2)将处理好的晶体硅棒装入切片机，固定好晶棒位置，预机循环；3)热机结束后，进行硅片切割，其中台速为0.3～0.9mm/min，线速度为0～15m/s，采用双向切割工艺；4)切片过程中使用水性切削液，整个切割过程中，切削液一直循环流动；5)切割结束后，停机、下棒，硅片进行清洗和分选。本发明可以规模化生产120μm～160μm厚度太阳能级硅片，提高硅片的出片率10％以上，大大降低光伏发电的硅成本。
文档编号B28D5/04GK102363330SQ20111018308
公开日2012年2月29日 申请日期2011年6月30日 优先权日2011年6月30日
发明者刘振淮, 李毕武, 黄振飞 申请人:常州天合光能有限公司