技术编号：1938623
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种V2O3及其掺杂物纳米晶粒陶瓷的制备方法。背景技术 V2O3陶瓷存在两个相变温度(Tt)，在-120℃附近存在第一个相变点Tt1，呈负温度系数(NTC)，电阻率突跃约7～8个数量级。当掺入少量杂质Cr3+或Al3+时，NTC相变的相变温度Tt1随着掺杂量的增加向高温移动，同时在-70～180℃出现第二个相变点Tt2，且呈正温度系数(PTC)，PTC相变的相变温度Tt2随着掺杂量的增加移向低温。与BaTiO3等PTC材料比较，它们具有如下几个优...
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