技术编号:19419995
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体生长领域,特别是涉及一种用于pvt法生长sic单晶的装料装置及装料方法。背景技术作为第三代半导体材料,由于sic具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等诸多优异性能,碳化硅半导体已经成为国际上公认的将引领电力电子,特别是大功率电力电子下一个50年的最佳电子材料,可用于制作新一代高效节能的电力电子器件,广泛应用于国民经济的各个领域。在sic单晶生长技术方面,目前国际上主要采用物理气相输运法(pvt)生长sic单晶。但在用pvt法生长sic单晶的过程中,生长室内的温度由坩...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。