技术编号:1945883
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及含Nb复合金属氧化物介电陶瓷薄膜及其制备方法。 背景技术微波介电器件具有输出功率大、适合于微波高频段等优点,已成为下一代微波器件的 主要发展方向之一,是国内外研究的一个热点。为了实现微波器件及电路的小型化、集成 化,人们也开始考虑薄膜化介电频率器件。Toshio Nishikawa等人的实验研究证明多层结 构介电薄膜比相应的块体材料具有更低的插损、,更高的品质因子。因此,介电材料的薄膜 化,可以满足单片微波集成电路(MMIC)小型化的需要,对实现...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。