技术编号:1946187
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种膜的制备方法,特别涉及一种具有高导电性能IT0膜的制备 方法。背景技术掺锡氧化铟(Indium Tin Oxide称ITO)透明导电薄膜,作为一种n型简 并半导体,以其良好的导电性能、较高的可见光范围内的透光率、与基体较好 的结合能力和良好的化学稳定性,愈来愈受到关注,已在很多领域包括平面显 示(液晶显示器LCD、有机电致发光显示器OLED)、太阳能电池、传感器、功能 性玻璃等方面得到广泛应用。目前,ITO膜的制备方法很多,包括磁控溅射法、化...
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