技术编号:1946733
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硅纳米线制备方法,属于纳米材料。 背景技术维半导体纳米材料由于其奇特的结构与物理性能,在未来的介观和纳米光电子学器件 中具有广阔的应用前景。由于硅材料在传统微电子行业的重要地位, 一维硅纳米线的研究受 到了极大的关注。目前的纳米硅线制备方法主要有化学气相沉积和氧化物辅助生长技术等。 这些方法由于生长机制的限制,通常需要相当高的温度和一些复杂的设备,从而造成较高的 生产成本。如专利00117242.5中的硅线生长温度高达1600 — 200(T...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。