技术编号:1961945
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,属半导体电功能薄膜制备工艺。背景技术Zn0是一种I1-VI族化合物半导体材料,禁带宽度为3. 37 eV,室温下激子结合能为60meV,在光电、压电、热电、铁电等诸多领域都具有优异的性能,在短波长光电器件领域有着极大的应用潜力,在低维纳米领域也表现优异,拥有各种各样的纳米结构。要实现在光电领域的广泛应用,首先必须获得性能良好的n-型和p-型ZnO材料,并实现透明的ZnO同质p-n结。高质量的n-型ZnO很容易实现,但是ZnO的p-型掺杂由于其固...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。