技术编号:19748076
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及刻蚀技术领域,具体地,涉及一种非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备。背景技术牺牲层刻蚀是集成电路中很重要的工艺,然而随着技术带的更新,原有的刻蚀方法遇到的瓶颈越来越多。牺牲层材料的移除有湿法和干法两种。湿法工艺采用腐蚀液腐蚀牺牲层。但是湿法刻蚀后,薄膜极易出现粘附、破裂,这将降低复合薄膜的成品率和可靠性,尤其是制程小于28nm后,表面张力会极大地影响器件的良率,此外湿法刻蚀具有各向同性特点,很难保证特定的图形横向和纵向刻蚀一致。干法刻蚀主要有等离子体干法刻蚀和非等离子体刻蚀法。对于等离子体干法...
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