技术编号:19748084
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种隧穿场效应晶体管及其形成方法。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件朝着更高的元件密度,以及更高的集成度的方向发展,作为半导体核心器件的cmos器件的特征尺寸不断缩小。随之而来,器件的短沟道效应等负面影响也愈加严重。漏致势垒降低、带带隧穿等效应使得器件关态漏泄电流不断增大,同时,传统mosfet的亚阈值斜率收到热电势的限制无法随着器件尺寸的缩小而同步减小,由此增加了器件功耗。功耗问题如今已经成为限制器件等比例缩小的最严峻的问题。为了能将器件应用在超...
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