技术编号:1985444
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电薄膜材料制备,具体涉及一种GaN外延薄膜的生长方法,可用于制作GaN的半导体光电器件。背景技术GaN是继以Si、GaAs为代表的第一、二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料。GaN属直接带隙半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、介电常数低、电子漂移饱和速度高等特性,适于制作高频、高温、大功率、抗辐射和高集成密度的电子器件,如GaN可用于制备金属半导体场效应晶体管(MESFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等新型器件。利用其宽禁带特点还...
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