技术编号:1988786
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料,特别设计一种低温条件下通过化学气相沉积法制备出高度取向的SnO2纳米锥阵列的方法。背景技术纳米材料具有不同于体相材料的物理和化学性能,其性能强烈的依赖于形貌和尺寸。同时不同形貌的纳米结构也是构筑纳米器件的基本模块。一维或准一维结构的二氧化锡,由于其独特的光学、电学和几何特性在化学传感、气敏传感器、锂离子电池和太阳能电池等领域有广泛的应用。因此,人们采用热蒸发、化学气相沉积(CVD)、金属有机化学气相沉积以及湿化学法等制备出了纳米线、纳米...
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