技术编号:19893175
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米材料技术领域,尤其涉及一种三金属mof纳米片阵列的制备方法。背景技术金属有机框架化合物(mof)是一种由金属离子与有机配体通过共价键结合而成的晶体材料,具有高孔隙率、高比表面积、孔隙可调等优点,被广泛应用于能源、医疗、传感等领域。然而,单金属mof材料的导电性差、催化活性低等缺点严重限制了其在电化学催化领域的发展。二维纳米片具有比三维块体更高的比表面积和更多的活性位点,具有更大的应用价值,但是二维材料在应用过程中易发生堆叠,表面活性位点无法充分暴露,这严重限制了其进一步发展。在阵列...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。