技术编号:20003696
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光催化技术领域,尤其涉及一种cdin2s4-c3n4复合光催化剂及其制备方法和应用。背景技术近年来,光催化应用技术的发展十分迅猛,不仅实现了光分解水产氢而且在分解水体污染物、二氧化碳还原、光催化杀菌和空气净化等方面也获得了丰硕成果。光催化反应的机理是:在特征波长光的激发下,电子会从半导体的价带跃迁至导带,产生了电子-空穴对,电子对具有还原性,空穴具有氧化性,从而使得催化剂具有氧化还原能力。能够作为光催化剂的功能半导体很多,其中,硫化物半导体的禁带宽度较窄,对于可见光的吸收较多,具有优越...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。