技术编号：20020087
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及沉积氮化硅的方法。更具体地，本发明涉及通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)将氮化硅沉积到衬底上的方法。本发明还涉及用于将氮化硅沉积到衬底上的等离子体增强化学气相沉积(pecvd)设备。背景技术使用低温等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺生产的氮化硅膜已应用在半导体和微电子工业中。例如，这种氮化硅膜可以用作薄层以在低温下通过显示应用程序(revealapplication)来控制晶片应力和/或晶片弯曲。必要的是，使这些氮化硅膜具有优异的电性能，同时保持低的热预算。已知的工艺通...
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