技术编号:2007914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料化学,尤其涉及一种在ITO导电玻璃基底上原位制备由纳米薄片组成的网状硫铟锌三元化合物光电薄膜材料的化学方法。背景技术ZnIn2S4(ZIS)作为II-III-VI族化合物半导体,属于AB2C4系列的三元硫化物。因 其具有适中的带隙能、较高的转换效率以及较低的制造成本等被广泛的应用于太阳能电 池、光催化、光致发光二极管、生物标记和光敏元件等方面。目前,关于硫铟锌(ZnIn2S4)晶体的制备方法已有不少报道,南开大学苟兴龙等 人[X. L. Go...
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