技术编号:2010329
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种光电子材料及其制备方法。适用于电子器件、光电子器件、化学传 感、生物发电以及紫外检测等领域。背景技术ZnO是一种重要的II-VI族直接带隙宽禁带半导体材料。纳米线、纳米管、纳米棒、 纳米片、纳米阵列、纳米花等各种微纳结构的氧化锌材料,它们的结构和性能与块状材料显 著不同,从而体现出特殊的应用潜力,特别是近年在场效应晶体管、肖特基二极管、紫外光 探测器、气敏传感器、纳米发电机等领域取得了重要应用。实现ZnO微纳棒晶的周期性分 布,甚至实现生长位...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。