技术编号:2013980
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种低压/高a值的ZnO压敏元件及其制造方法, 属电子陶瓷材料及器件领域。(二) 背景技术随着通讯技术的发展,低压压敏元件的需求日益增加。为解决 低压/高a值的压敏元件,人们从材料配方和元件结构方面做了大量 工作。日本采用特殊配方将电压梯度降到11.6V, a =15. 4 [JP2004-63693A];多层结构的ZnO压敏电阻0805的梯度电压为 5.5V, a =15-20, 0402的梯度电压为50V, a =18-20, (SIDV, ...
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