技术编号：20303007
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型的实施例和实现涉及集成电路，特别是低压电容元件。背景技术实际上，用于处理集成电路的射频信号的部件和模拟部件特别需要具有用于低电压(通常用于其端子处接近0v的电压)的线性电容值的电容器。例如，在0.0v和0.5v之间，小于电容值的10％至15％的变化被认为是可接受的。通常，这种电容器是由通过例如mom(金属-氧化物-金属)类型的电介质层分离的导电材料的两层的界面制成的。然而，根据该方法(mom类型)制成的电容器具有例如大约3ff/μm2的相对低的每单位面积的电容值，并且可以占到集成电路的...
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