技术编号:20604499
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储技术,特别涉及一种电可擦除可编程只读存储器(eeprom)。背景技术如图1所示,传统eeprom存储器的体系架构包括存储阵列(mc)、位线(bl)、字线(wl)、页锁存器(pl)、行选择电路(rdec)、字解码电路(cdec)、列选择电路(cmux)以及读出灵敏放大器(sa)。存储阵列由多个存储单元按照行和列排列而成。常规eeprom的存储单元包括控制栅晶体管(cg)和位选择晶体管(sg),一个字节通常由n位存储单元和1个字选择晶体管(bsg)构成,一行存储阵列包含m个字节,存储阵...
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