技术编号:20838387
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例是有关于放大电路,且特别是有关于一种功率放大电路。背景技术在标准的互补金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor,cmos)工艺中,n型金属氧化物半导体(n-typemetaloxidesemiconductor,nmos)晶体管因具有例如无本体效应、在时变电介质击穿(time-dependentdielectricbreakdown,tddb)可靠性问题上vgb(栅极-本体电压)减小、衬底耦合减少等优点而广泛用于衬底的深n井(d...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。