技术编号:20913498
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体结构的形成方法。背景技术在半导体工艺中,各个半导体器件之间通常是利用沟槽隔离结构(例如浅沟槽隔离结构)进行隔离的。以及,在半导体器件的制备过程中,一般是优先形成沟槽隔离结构,以利用所形成的沟槽隔离结构界定出多个单元区,在后续步骤中即在各个单元区中形成半导体器件。目前,在制备沟槽隔离结构时,通常是在衬底的表面上形成掩膜叠层,以利用掩膜叠层界定出沟槽隔离结构的位置和图形形貌,并在完成沟槽隔离结构的制备过程之后,即可进一步去除所述掩膜叠层,以暴露出衬底的表面...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。