技术编号:20913513
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路领域,尤其涉及一种沟槽制作方法及一种半导体隔离结构制作方法。背景技术在集成电路制造中,对于在半导体基底上制作的各个独立器件例如不同的存储单元、不同的晶体管之间的隔离,多使用浅沟槽隔离(shallowtrenchisolation,sti)的方法,具体是通过在衬底上蚀刻出具有一定深度的沟槽,再在沟槽中填充氧化物来达到隔离效果。随着集成电路制造工艺的发展,在同一衬底上会设置具有不同操作电压的器件,如低压器件和高压器件,低压器件和高压器件分别被设置在衬底的低压区和高压区。在制作不同操...
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