技术编号:20958586
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求2017年8月14日提交的美国临时专利申请62/545,363的权益。本公开涉及半导体器件,并且更具体涉及半导体激光器的多光束阵列。背景技术垂直腔面发射激光器(vcsel)是具有独特性能优势的通用型半导体激光器。它们目前用于高速数据通信,光学感测应用(诸如接近感测)和激光雷达。通过在半导体材料(通常为砷化镓)的晶圆的表面上使激光腔以层状形式外延生长来制造器件。结果,它们在垂直于晶圆表面的方向上发光。由于没有必要,如边缘发射半导体激光器所需要的,切割半导体晶圆以形成激光...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。